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摘要

本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可控性。而二極管因為優化了場截止設計，其振蕩發生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。