商鋪名稱：深圳市凱泰電子有限公司
聯系人：黃海云（先生）
聯系手機：
固定電話：
企業郵箱：keeptops@126.com
聯系地址：深圳市寶安區42區146-147棟5樓5
郵編：518101
聯系我時，請說是在線纜網上看到的，謝謝！
|
| ||
MOS管主要參數 | ||
| ||
| 1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓； ·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 | ||
| ||
| 2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 | ||
| ||
| 3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個方面： （1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 （2）漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后 ，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID | ||
| ||
| 4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。 | ||
| ||
| 5. 低頻跨導gm ·在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導 ·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個重要參數 ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內 | ||
| ||
|
6. 導通電阻RON | ||
| ||
| 7. 極間電容 ·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1～3pF ·CDS約在0.1～1pF之間 | ||
| ||
| 8. 低頻噪聲系數NF ·噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的 ·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸 出端也出現不規則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示，它的單位為分貝（dB） ·這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小 ·低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數 ·MOS管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小 | ||
| ||
|
