維安一級代理商聯大實業
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  • 規格：WMO15N65C4
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    商品詳情

      上海長園維安/深圳市聯大電子有限公司(總代理）

      廖雪花：電話13670166496  QQ1046342124微信：13670166496（廣東辦事處）

      地址：深圳市龍華區民治布龍路荔苑大廈B座1005室

      長園微安一家國內上市公司，擁有英飛凌的技術，散熱好，內阻低，溫升好，性價比高的一

      款國內具影響力的MOS原廠

      1.通態阻抗小，通態損耗小。

      由于SJ-MOS的Rdson遠遠低于VDMOS，在系統電源類產品中SJ-MOS的導通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統產品上面的單體MOSFET的導通損耗，提高了系統產品的效率，SJ-MOS的這個優點在大功率、大電流類的電源產品產品上，優勢表現的尤為突出。

      同等功率規格下封裝小，有利于功率密度的提高。

      首先，同等電流以及電壓規格條件下，SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積，這樣作為MOS的廠家，對于同一規格的產品，可以封裝出來體積相對較小的產品，有利于電源系統功率密度的提高。其次，由于SJ-MOS的導通損耗的降低從而降低了電源類產品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內。由于SJ-MOS可以有效的減少發熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統電源類產品的功率密度。

      柵電荷小，對電路的驅動能力要求降低。

      傳統VDMOS的柵電荷相對較大，我們在實際應用中經常會遇到由于IC的驅動能力不足造成的溫升問題，部分產品在電路設計中為了增加IC的驅動能力，確保MOSFET的快速導通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅動電路，從而增加了電路的復雜性。SJ-MOS的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動能力的要求，提高了系統產品的可靠性。

      2.節電容小，開關速度加快，開關損耗小。

      由于SJ-MOS結構的改變，其輸出的節電容也有較大的降低，從而降低了其導通及關斷過程中的損耗。同時由于SJ-MOS柵電容也有了響應的減小，電容充電時間變短，大大的提高了SJ-MOS的開關速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損耗。提高整個電源系統的效率。這一點尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明顯


      WMK07N65C4 N-Channel SJ-MOS C4 TO-220 650 1.14 5 42 30 3
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      WMO10N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-252 650 0.6 8 63 30 3
      WMP10N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-251 650 0.6 8 63 30 3
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      WMU13N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-220F NL 650 0.41 11 31 30 3
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      WMB13N65EM N-Channel SJ-MOS EM DFN5*6 650 0.4 11 31 30 3
      WMK18N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-220 650 0.28 16 125 30 3
      WML18N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-220F 650 0.28 16 34 30 3
      WMM18N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-263 650 0.28 16 125 30 3
      WMN18N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-262 650 0.28 16 125 30 3
      WMO18N65EM N-Channel SJ-MOS EM TO-252 650 0.28 16 125 30 3
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      WMB18N65EM N-Channel SJ-MOS EM DFN5*6 650 0.3 16 125 30 3
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