TLC27L2CDR TI/德州儀器 SOIC8 梅峰電子
TLC27L2CDR TI/德州儀器 SOIC8 梅峰電子
產品價格:(人民幣)
  • 規格:TLC27L2CDR
  • 發貨地:本地至全國
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  • 最小起訂量:1個
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    商品詳情
      ■產品名稱:TLC27L2CDR

      ■功能名稱:雙通道、16V、85kHz、低功耗(10μA/通道)、輸入接近 V- 的運算放大器

      ■概要:
          TLC27L2和TLC27L7雙運放結合了寬范圍的輸入偏置電壓等級,具有低偏置電壓漂移,高輸入阻抗,極低功耗和高增益。
          這些器件使用德州儀器硅柵LinCMOSTM技術,其提供的偏置電壓穩定性遠遠超過傳統金屬柵工藝的穩定性。
      極高的輸入阻抗,低偏置電流和低功耗使這些具有成本效益的器件成為高增益,低頻,低功耗應用的理想選擇。有四個偏置電壓等級可供選擇(C后綴和I后綴類型),從低成本的TLC27L2(10 mV)到高精度的TLC27L7(500 μV)。這些優點,再加上良好的共模抑制和電源電壓抑制,使這些器件成為新的設計以及現有設計升級的良好選擇。
          總的來說,LinCMOSTM運放具有與雙極技術相關的許多功能,而沒有雙極技術的功耗懲罰。一般應用,如傳感器接口,模擬計算,放大器塊,有源濾波器和信號緩沖器很容易設計與TLC27L2和TLC27L7。器件還具有低電壓單電源操作和超低功耗,使它們非常適合遠程和不可訪問的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負軌。
       可提供廣泛的封裝選項,包括小輪廓和芯片載體版本的高密度系統應用。
       器件輸入和輸出設計,以承受-100毫安的浪涌電流,而不持續鎖存。
           TLC27L2和TLC27L7合并內部ESD保護電路,防止在高達2000 V的電壓下的功能故障,根據MIL-STD-883C,方法3015.2測試; 然而,在處理這些設備時應注意,因為暴露在ESD下可能會導致器件參數性能的退化。
       C后綴器件的特征是0°C至70°C的操作。I后綴器件的特征是-40°C至85°C的操作。M后綴設備的特點是在-55°C到125°C的整個軍事溫度范圍內運行。

      ■特征:
      ●調整偏置電壓:TLC27L7...500μV最大在25°C,VDD=5V
       ●輸入偏置電壓漂移...通常為0.1μV/月,包括前30天
       ●寬范圍的電源電壓超過的溫度范圍:>0°C至70°C...3V至16V
      ● -40°C至85°C...4V至16V
      ● -55°C至125°C...4V至16V
       ●單電源操作
       ●共模輸入電壓范圍擴展到負軌道以下(C后綴,I后綴類型)
      ● 超低功耗...通常為95μW在25°C,VDD=5V
      ● 輸出電壓范圍包括負軌道
      ● 高輸入阻抗...1012型
      ● ESD保護電路
      ● 小外形封裝選項,也可提供帶和卷
      ● 內置鎖存免疫功能
      ● LinCMOS是德州儀器的商標。

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