FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：5.5A（Ta），28A（Tc）

驅動電壓（大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值）：44nC @ 10V

Vgs（大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）：2000pF @ 50V

功率耗散（大值）：2.5W（Ta），63W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）：37 毫歐 @ 10A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：8-DFN（5x6）

封裝/外殼：8-PowerSMD，扁平引線

電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（大）@ Vgs：10V

電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（大） @ Vds：50V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs